机译:JICG CMOS晶体管,用于在130nm散装SiGe Bicmos技术中减少总电离剂量和单一事件效果
机译:在32 nm CMOS SOI技术中,总电离剂量和温度对K带正交LC-Tank VCO的综合影响
机译:总电离剂量辐射对先进的体CMOS技术器件中NMOS寄生晶体管的影响
机译:总电离剂量辐照对CMOS技术的影响以及使用设计技术减轻总剂量效应
机译:先进CMOS技术中的总电离剂量效应。
机译:使用65 nm CMOS技术单片集成的CMOS-NEMS铜开关
机译:用于HL-LHC升级的65 nm CMOS技术的1级总剂量评估